En esta ocasión IBM nos trae un nuevo tipo de memoria de cambio de fase (PCM en ingles) que lee y escribe 100 veces mas rapido que una memoria flash, se mantiene confiable hasta por millones de ciclos escritura-lectura (a diferencia a los miles con flash), y es lo suficientemente barato para ser usado en cualquier nivel de servicio a nivel empresarial hasta a nivel de celulares comerciales. PCM esta basado en una aleación especial que puede ser cambiado hacia diferentes estados físicos, o fases, controlados por destellos de electricidad. Hasta hace poco se trataba de una tecnologia la cual tenia tendencia hacia tener relajación en un estado e incrementar su resistencia eléctrica con el tiempo, conduciendo a errores.
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